Mua Vishay Siliconix SI4900DY-T1-E3 MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

Mã sản phẩm

SI4900DY-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Sức mạnh tối đa

3.1W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SO

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

60V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

5.3A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

58 mOhm @ 4.3A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

20nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

665pF @ 15V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 22360 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC