Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4923DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 30V 6.2A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4923DY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Sức mạnh tối đa
1.1W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.2A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
21 mOhm @ 8.3A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
70nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 5509 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI4923DY-T1-E3
SI4923DY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI4923DY-T1-E3 Việc bán hàng
SI4923DY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI4923DY-T1-E3 Nhà phân phối
SI4923DY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI4923DY-T1-E3 Ảnh
SI4923DY-T1-E3 Giá
SI4923DY-T1-E3 Lời đề nghị
SI4923DY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI4923DY-T1-E3 Tìm kiếm
SI4923DY-T1-E3 Thu mua
SI4923DY-T1-E3 Chip