Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4936CDY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Mã sản phẩm
SI4936CDY-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Sức mạnh tối đa
2.3W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.8A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
40 mOhm @ 5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
9nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
325pF @ 15V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 22483 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI4936CDY-T1-GE3
SI4936CDY-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI4936CDY-T1-GE3 Việc bán hàng
SI4936CDY-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI4936CDY-T1-GE3 Nhà phân phối
SI4936CDY-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI4936CDY-T1-GE3 Ảnh
SI4936CDY-T1-GE3 Giá
SI4936CDY-T1-GE3 Lời đề nghị
SI4936CDY-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI4936CDY-T1-GE3 Tìm kiếm
SI4936CDY-T1-GE3 Thu mua
SI4936CDY-T1-GE3 Chip