Mua Vishay Siliconix SI4943CDY-T1-GE3 MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI4943CDY-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 8A 8-SOIC

Mã sản phẩm

SI4943CDY-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Digi-Reel®

Nhiệt độ hoạt động

-50°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Sức mạnh tối đa

3.1W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-SO

Loại FET

2 P-Channel (Dual)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

19.2 mOhm @ 8.3A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

3V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

62nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1945pF @ 10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 26095 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI4900DY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC