Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI4967DY-T1-E3
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Mã sản phẩm
SI4967DY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Sức mạnh tối đa
2W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
-
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
450mV @ 250µA (Min)
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
55nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 21862 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI4967DY-T1-E3
SI4967DY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI4967DY-T1-E3 Việc bán hàng
SI4967DY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI4967DY-T1-E3 Nhà phân phối
SI4967DY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI4967DY-T1-E3 Ảnh
SI4967DY-T1-E3 Giá
SI4967DY-T1-E3 Lời đề nghị
SI4967DY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI4967DY-T1-E3 Tìm kiếm
SI4967DY-T1-E3 Thu mua
SI4967DY-T1-E3 Chip