Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI5853DC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 2.7A 1206-8
Mã sản phẩm
SI5853DC-T1-E3
Trạng thái một phần
Obsolete
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói / Thùng
8-SMD, Flat Lead
Gói thiết bị của nhà cung cấp
1206-8 ChipFET™
Tản điện (Tối đa)
1.1W (Ta)
Tính năng FET
Schottky Diode (Isolated)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.7A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
110 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
7.7nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 30314 PCS
Từ khóa của SI5853DC-T1-E3
SI5853DC-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI5853DC-T1-E3 Việc bán hàng
SI5853DC-T1-E3 Nhà cung cấp
SI5853DC-T1-E3 Nhà phân phối
SI5853DC-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI5853DC-T1-E3 Ảnh
SI5853DC-T1-E3 Giá
SI5853DC-T1-E3 Lời đề nghị
SI5853DC-T1-E3 Giá thấp nhất
SI5853DC-T1-E3 Tìm kiếm
SI5853DC-T1-E3 Thu mua
SI5853DC-T1-E3 Chip