Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI5855CDC-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 3.7A 1206-8
Mã sản phẩm
SI5855CDC-T1-E3
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gói / Thùng
8-SMD, Flat Lead
Gói thiết bị của nhà cung cấp
1206-8 ChipFET™
Tản điện (Tối đa)
1.3W (Ta), 2.8W (Tc)
Tính năng FET
Schottky Diode (Isolated)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.7A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
144 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
6.8nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
276pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến chen_hx1688@hotmail.com, chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 26017 PCS
Từ khóa của SI5855CDC-T1-E3
SI5855CDC-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI5855CDC-T1-E3 Việc bán hàng
SI5855CDC-T1-E3 Nhà cung cấp
SI5855CDC-T1-E3 Nhà phân phối
SI5855CDC-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI5855CDC-T1-E3 Ảnh
SI5855CDC-T1-E3 Giá
SI5855CDC-T1-E3 Lời đề nghị
SI5855CDC-T1-E3 Giá thấp nhất
SI5855CDC-T1-E3 Tìm kiếm
SI5855CDC-T1-E3 Thu mua
SI5855CDC-T1-E3 Chip