Mua Vishay Siliconix SI5858DU-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI5858DU-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

Mã sản phẩm

SI5858DU-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

LITTLE FOOT®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Digi-Reel®

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® ChipFET™ Dual

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® ChipFet Dual

Tản điện (Tối đa)

2.3W (Ta), 8.3W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Schottky Diode (Isolated)

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

39 mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

16nC @ 8V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

520pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.8V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 14657 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI5853CDC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8