Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI6913DQ-T1-E3

SI6913DQ-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Mã sản phẩm
SI6913DQ-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sức mạnh tối đa
830mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-TSSOP
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.9A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
900mV @ 400µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
28nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 31744 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI6913DQ-T1-E3
SI6913DQ-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI6913DQ-T1-E3 Việc bán hàng
SI6913DQ-T1-E3 Nhà cung cấp
SI6913DQ-T1-E3 Nhà phân phối
SI6913DQ-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI6913DQ-T1-E3 Ảnh
SI6913DQ-T1-E3 Giá
SI6913DQ-T1-E3 Lời đề nghị
SI6913DQ-T1-E3 Giá thấp nhất
SI6913DQ-T1-E3 Tìm kiếm
SI6913DQ-T1-E3 Thu mua
SI6913DQ-T1-E3 Chip