Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI6963BDQ-T1-GE3

SI6963BDQ-T1-GE3

MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8-TSSOP
Mã sản phẩm
SI6963BDQ-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Cut Tape (CT)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sức mạnh tối đa
830mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-TSSOP
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3.4A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
45 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
11nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 24463 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI6963BDQ-T1-GE3
SI6963BDQ-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI6963BDQ-T1-GE3 Việc bán hàng
SI6963BDQ-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI6963BDQ-T1-GE3 Nhà phân phối
SI6963BDQ-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI6963BDQ-T1-GE3 Ảnh
SI6963BDQ-T1-GE3 Giá
SI6963BDQ-T1-GE3 Lời đề nghị
SI6963BDQ-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI6963BDQ-T1-GE3 Tìm kiếm
SI6963BDQ-T1-GE3 Thu mua
SI6963BDQ-T1-GE3 Chip