Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI6969BDQ-T1-E3

SI6969BDQ-T1-E3

MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
Mã sản phẩm
SI6969BDQ-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Digi-Reel®
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Sức mạnh tối đa
830mW
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-TSSOP
Loại FET
2 P-Channel (Dual)
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
30 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
800mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
25nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 41379 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI6969BDQ-T1-E3
SI6969BDQ-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI6969BDQ-T1-E3 Việc bán hàng
SI6969BDQ-T1-E3 Nhà cung cấp
SI6969BDQ-T1-E3 Nhà phân phối
SI6969BDQ-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI6969BDQ-T1-E3 Ảnh
SI6969BDQ-T1-E3 Giá
SI6969BDQ-T1-E3 Lời đề nghị
SI6969BDQ-T1-E3 Giá thấp nhất
SI6969BDQ-T1-E3 Tìm kiếm
SI6969BDQ-T1-E3 Thu mua
SI6969BDQ-T1-E3 Chip