Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7102DN-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
Mã sản phẩm
SI7102DN-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-50°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8
Tản điện (Tối đa)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
110nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
3720pF @ 6V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 10419 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI7102DN-T1-E3
SI7102DN-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7102DN-T1-E3 Việc bán hàng
SI7102DN-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7102DN-T1-E3 Nhà phân phối
SI7102DN-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7102DN-T1-E3 Ảnh
SI7102DN-T1-E3 Giá
SI7102DN-T1-E3 Lời đề nghị
SI7102DN-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7102DN-T1-E3 Tìm kiếm
SI7102DN-T1-E3 Thu mua
SI7102DN-T1-E3 Chip