Mua Vishay Siliconix SI7112DN-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI7112DN-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8

Mã sản phẩm

SI7112DN-T1-E3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-50°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® 1212-8

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® 1212-8

Tản điện (Tối đa)

1.5W (Ta)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

11.3A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

7.5 mOhm @ 17.8A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

27nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2610pF @ 15V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±12V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 45468 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI7100DN-T1-E3

MOSFET N-CH 8V 35A 1212-8