Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7114DN-T1-E3

SI7114DN-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
Mã sản phẩm
SI7114DN-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8
Tản điện (Tối đa)
1.5W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
11.7A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
7.5 mOhm @ 18.3A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
19nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 46372 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI7114DN-T1-E3
SI7114DN-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7114DN-T1-E3 Việc bán hàng
SI7114DN-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7114DN-T1-E3 Nhà phân phối
SI7114DN-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7114DN-T1-E3 Ảnh
SI7114DN-T1-E3 Giá
SI7114DN-T1-E3 Lời đề nghị
SI7114DN-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7114DN-T1-E3 Tìm kiếm
SI7114DN-T1-E3 Thu mua
SI7114DN-T1-E3 Chip