Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7309DN-T1-E3
MOSFET P-CH 60V 8A 1212-8
Mã sản phẩm
SI7309DN-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8
Tản điện (Tối đa)
3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
115 mOhm @ 3.9A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
22nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 30V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 47550 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI7309DN-T1-E3
SI7309DN-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7309DN-T1-E3 Việc bán hàng
SI7309DN-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7309DN-T1-E3 Nhà phân phối
SI7309DN-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7309DN-T1-E3 Ảnh
SI7309DN-T1-E3 Giá
SI7309DN-T1-E3 Lời đề nghị
SI7309DN-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7309DN-T1-E3 Tìm kiếm
SI7309DN-T1-E3 Thu mua
SI7309DN-T1-E3 Chip