Mua Vishay Siliconix SI7403BDN-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SI7403BDN-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8A 1212-8 PPAK

Mã sản phẩm

SI7403BDN-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Obsolete

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® 1212-8

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® 1212-8

Tản điện (Tối đa)

3.1W (Ta), 9.6W (Tc)

Loại FET

P-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

74 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

15nC @ 8V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

430pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

2.5V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±8V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 39723 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SI7402DN-T1-E3

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK 1212-8