Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7434DP-T1-E3
MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Mã sản phẩm
SI7434DP-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Tản điện (Tối đa)
1.9W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
250V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.3A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
155 mOhm @ 3.8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
50nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
6V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 43219 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI7434DP-T1-E3
SI7434DP-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7434DP-T1-E3 Việc bán hàng
SI7434DP-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7434DP-T1-E3 Nhà phân phối
SI7434DP-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7434DP-T1-E3 Ảnh
SI7434DP-T1-E3 Giá
SI7434DP-T1-E3 Lời đề nghị
SI7434DP-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7434DP-T1-E3 Tìm kiếm
SI7434DP-T1-E3 Thu mua
SI7434DP-T1-E3 Chip