Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7464DP-T1-E3

SI7464DP-T1-E3

MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8
Mã sản phẩm
SI7464DP-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Tản điện (Tối đa)
1.8W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
200V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
240 mOhm @ 2.8A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
18nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
6V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 54692 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI7464DP-T1-E3
SI7464DP-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7464DP-T1-E3 Việc bán hàng
SI7464DP-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7464DP-T1-E3 Nhà phân phối
SI7464DP-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7464DP-T1-E3 Ảnh
SI7464DP-T1-E3 Giá
SI7464DP-T1-E3 Lời đề nghị
SI7464DP-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7464DP-T1-E3 Tìm kiếm
SI7464DP-T1-E3 Thu mua
SI7464DP-T1-E3 Chip