Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7485DP-T1-E3

SI7485DP-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
Mã sản phẩm
SI7485DP-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Tản điện (Tối đa)
1.8W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
7.3 mOhm @ 20A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
900mV @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
150nC @ 5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 11181 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI7485DP-T1-E3
SI7485DP-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7485DP-T1-E3 Việc bán hàng
SI7485DP-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7485DP-T1-E3 Nhà phân phối
SI7485DP-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7485DP-T1-E3 Ảnh
SI7485DP-T1-E3 Giá
SI7485DP-T1-E3 Lời đề nghị
SI7485DP-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7485DP-T1-E3 Tìm kiếm
SI7485DP-T1-E3 Thu mua
SI7485DP-T1-E3 Chip