Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI7530DP-T1-E3

SI7530DP-T1-E3

MOSFET N/P-CH 60V 3A PPAK SO-8
Mã sản phẩm
SI7530DP-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Digi-Reel®
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8 Dual
Sức mạnh tối đa
1.4W, 1.5W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8 Dual
Loại FET
N and P-Channel
Tính năng FET
Logic Level Gate
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
3A, 3.2A
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
75 mOhm @ 4.6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
20nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 5076 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI7530DP-T1-E3
SI7530DP-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI7530DP-T1-E3 Việc bán hàng
SI7530DP-T1-E3 Nhà cung cấp
SI7530DP-T1-E3 Nhà phân phối
SI7530DP-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI7530DP-T1-E3 Ảnh
SI7530DP-T1-E3 Giá
SI7530DP-T1-E3 Lời đề nghị
SI7530DP-T1-E3 Giá thấp nhất
SI7530DP-T1-E3 Tìm kiếm
SI7530DP-T1-E3 Thu mua
SI7530DP-T1-E3 Chip