Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI8802DB-T2-E1
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
Mã sản phẩm
SI8802DB-T2-E1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
4-XFBGA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
4-Microfoot
Tản điện (Tối đa)
500mW (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
8V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
-
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
54 mOhm @ 1A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
700mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
6.5nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.2V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±5V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 37284 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI8802DB-T2-E1
SI8802DB-T2-E1 Linh kiện điện tử
SI8802DB-T2-E1 Việc bán hàng
SI8802DB-T2-E1 Nhà cung cấp
SI8802DB-T2-E1 Nhà phân phối
SI8802DB-T2-E1 Bảng dữ liệu
SI8802DB-T2-E1 Ảnh
SI8802DB-T2-E1 Giá
SI8802DB-T2-E1 Lời đề nghị
SI8802DB-T2-E1 Giá thấp nhất
SI8802DB-T2-E1 Tìm kiếm
SI8802DB-T2-E1 Thu mua
SI8802DB-T2-E1 Chip