Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI8808DB-T2-E1

SI8808DB-T2-E1

MOSFET N-CH 30V MICROFOOT
Mã sản phẩm
SI8808DB-T2-E1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Digi-Reel®
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
4-UFBGA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
4-Microfoot
Tản điện (Tối đa)
500mW (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
-
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
95 mOhm @ 1A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
900mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
10nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
330pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 16580 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI8808DB-T2-E1
SI8808DB-T2-E1 Linh kiện điện tử
SI8808DB-T2-E1 Việc bán hàng
SI8808DB-T2-E1 Nhà cung cấp
SI8808DB-T2-E1 Nhà phân phối
SI8808DB-T2-E1 Bảng dữ liệu
SI8808DB-T2-E1 Ảnh
SI8808DB-T2-E1 Giá
SI8808DB-T2-E1 Lời đề nghị
SI8808DB-T2-E1 Giá thấp nhất
SI8808DB-T2-E1 Tìm kiếm
SI8808DB-T2-E1 Thu mua
SI8808DB-T2-E1 Chip