Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI8819EDB-T2-E1
MOSFET P-CH 12V 2.9A 4-MICROFOOT
Mã sản phẩm
SI8819EDB-T2-E1
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
4-XFBGA
Gói thiết bị của nhà cung cấp
4-MICRO FOOT® (0.8x0.8)
Tản điện (Tối đa)
900mW (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
12V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
80 mOhm @ 1.5A, 3.7V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
900mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
17nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
650pF @ 6V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.5V, 3.7V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 28248 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI8819EDB-T2-E1
SI8819EDB-T2-E1 Linh kiện điện tử
SI8819EDB-T2-E1 Việc bán hàng
SI8819EDB-T2-E1 Nhà cung cấp
SI8819EDB-T2-E1 Nhà phân phối
SI8819EDB-T2-E1 Bảng dữ liệu
SI8819EDB-T2-E1 Ảnh
SI8819EDB-T2-E1 Giá
SI8819EDB-T2-E1 Lời đề nghị
SI8819EDB-T2-E1 Giá thấp nhất
SI8819EDB-T2-E1 Tìm kiếm
SI8819EDB-T2-E1 Thu mua
SI8819EDB-T2-E1 Chip