Mua Vishay Siliconix SI8900EDB-T2-E1 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

SI8900EDB-T2-E1

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 10-MFP

Mã sản phẩm

SI8900EDB-T2-E1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

10-UFBGA, CSPBGA

Sức mạnh tối đa

Gói thiết bị của nhà cung cấp

10-Micro Foot™ CSP (2x5)

Loại FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

5.4A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1V @ 1.1mA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 20646 PCS

Thông tin liên lạc