Mua Vishay Siliconix SI8902AEDB-T2-E1 N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

SI8902AEDB-T2-E1

N-CHANNEL 24-V (D-S) MOSFET

Mã sản phẩm

SI8902AEDB-T2-E1

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

6-UFBGA

Sức mạnh tối đa

5.7W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

6-Micro Foot™ (1.5x1)

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Standard

Xả điện áp nguồn (Vdss)

24V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

11A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

28 mOhm @ 1A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

900mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 41671 PCS

Thông tin liên lạc