Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI9410BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 6.2A 8SOIC
Mã sản phẩm
SI9410BDY-T1-E3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
1.5W (Ta)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
6.2A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
24 mOhm @ 8.1A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
23nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 20106 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SI9410BDY-T1-E3
SI9410BDY-T1-E3 Linh kiện điện tử
SI9410BDY-T1-E3 Việc bán hàng
SI9410BDY-T1-E3 Nhà cung cấp
SI9410BDY-T1-E3 Nhà phân phối
SI9410BDY-T1-E3 Bảng dữ liệu
SI9410BDY-T1-E3 Ảnh
SI9410BDY-T1-E3 Giá
SI9410BDY-T1-E3 Lời đề nghị
SI9410BDY-T1-E3 Giá thấp nhất
SI9410BDY-T1-E3 Tìm kiếm
SI9410BDY-T1-E3 Thu mua
SI9410BDY-T1-E3 Chip