Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SI9424BDY-T1-GE3

SI9424BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.6A 8SOIC
Mã sản phẩm
SI9424BDY-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Obsolete
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
8-SO
Tản điện (Tối đa)
1.25W (Ta)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
5.6A (Ta)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
25 mOhm @ 7.1A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
850mV @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
40nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
-
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±9V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 51961 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SI9424BDY-T1-GE3
SI9424BDY-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SI9424BDY-T1-GE3 Việc bán hàng
SI9424BDY-T1-GE3 Nhà cung cấp
SI9424BDY-T1-GE3 Nhà phân phối
SI9424BDY-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SI9424BDY-T1-GE3 Ảnh
SI9424BDY-T1-GE3 Giá
SI9424BDY-T1-GE3 Lời đề nghị
SI9424BDY-T1-GE3 Giá thấp nhất
SI9424BDY-T1-GE3 Tìm kiếm
SI9424BDY-T1-GE3 Thu mua
SI9424BDY-T1-GE3 Chip