Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIA811ADJ-T1-GE3

SIA811ADJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Mã sản phẩm
SIA811ADJ-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
LITTLE FOOT®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Tản điện (Tối đa)
1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
Schottky Diode (Isolated)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
116 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
13nC @ 8V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
345pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
1.8V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±8V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 11364 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIA811ADJ-T1-GE3
SIA811ADJ-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIA811ADJ-T1-GE3 Việc bán hàng
SIA811ADJ-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIA811ADJ-T1-GE3 Nhà phân phối
SIA811ADJ-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIA811ADJ-T1-GE3 Ảnh
SIA811ADJ-T1-GE3 Giá
SIA811ADJ-T1-GE3 Lời đề nghị
SIA811ADJ-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIA811ADJ-T1-GE3 Tìm kiếm
SIA811ADJ-T1-GE3 Thu mua
SIA811ADJ-T1-GE3 Chip