Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIA817EDJ-T1-GE3

SIA817EDJ-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 4.5A SC-70-6
Mã sản phẩm
SIA817EDJ-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
LITTLE FOOT®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Tản điện (Tối đa)
1.9W (Ta), 6.5W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
Schottky Diode (Body)
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
65 mOhm @ 3A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.3V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
23nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
600pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 36135 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIA817EDJ-T1-GE3
SIA817EDJ-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIA817EDJ-T1-GE3 Việc bán hàng
SIA817EDJ-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIA817EDJ-T1-GE3 Nhà phân phối
SIA817EDJ-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIA817EDJ-T1-GE3 Ảnh
SIA817EDJ-T1-GE3 Giá
SIA817EDJ-T1-GE3 Lời đề nghị
SIA817EDJ-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIA817EDJ-T1-GE3 Tìm kiếm
SIA817EDJ-T1-GE3 Thu mua
SIA817EDJ-T1-GE3 Chip