Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIHA11N80E-GE3
MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP
Mã sản phẩm
SIHA11N80E-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
E
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Through Hole
Gói / Thùng
TO-220-3 Full Pack
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-220 Full Pack
Tản điện (Tối đa)
34W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
800V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
440 mOhm @ 5.5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
88nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1670pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 22700 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SIHA11N80E-GE3
SIHA11N80E-GE3 Linh kiện điện tử
SIHA11N80E-GE3 Việc bán hàng
SIHA11N80E-GE3 Nhà cung cấp
SIHA11N80E-GE3 Nhà phân phối
SIHA11N80E-GE3 Bảng dữ liệu
SIHA11N80E-GE3 Ảnh
SIHA11N80E-GE3 Giá
SIHA11N80E-GE3 Lời đề nghị
SIHA11N80E-GE3 Giá thấp nhất
SIHA11N80E-GE3 Tìm kiếm
SIHA11N80E-GE3 Thu mua
SIHA11N80E-GE3 Chip