Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIHB12N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Mã sản phẩm
SIHB12N60E-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Bulk
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D2PAK
Tản điện (Tối đa)
147W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
600V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
380 mOhm @ 6A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
58nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
937pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42555 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SIHB12N60E-GE3
SIHB12N60E-GE3 Linh kiện điện tử
SIHB12N60E-GE3 Việc bán hàng
SIHB12N60E-GE3 Nhà cung cấp
SIHB12N60E-GE3 Nhà phân phối
SIHB12N60E-GE3 Bảng dữ liệu
SIHB12N60E-GE3 Ảnh
SIHB12N60E-GE3 Giá
SIHB12N60E-GE3 Lời đề nghị
SIHB12N60E-GE3 Giá thấp nhất
SIHB12N60E-GE3 Tìm kiếm
SIHB12N60E-GE3 Thu mua
SIHB12N60E-GE3 Chip