Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIHB21N65EF-GE3
MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK
Mã sản phẩm
SIHB21N65EF-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
-
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tube
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gói thiết bị của nhà cung cấp
D²PAK (TO-263)
Tản điện (Tối đa)
208W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
650V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
180 mOhm @ 11A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
106nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2322pF @ 100V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 8881 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SIHB21N65EF-GE3
SIHB21N65EF-GE3 Linh kiện điện tử
SIHB21N65EF-GE3 Việc bán hàng
SIHB21N65EF-GE3 Nhà cung cấp
SIHB21N65EF-GE3 Nhà phân phối
SIHB21N65EF-GE3 Bảng dữ liệu
SIHB21N65EF-GE3 Ảnh
SIHB21N65EF-GE3 Giá
SIHB21N65EF-GE3 Lời đề nghị
SIHB21N65EF-GE3 Giá thấp nhất
SIHB21N65EF-GE3 Tìm kiếm
SIHB21N65EF-GE3 Thu mua
SIHB21N65EF-GE3 Chip