Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIJ188DP-T1-GE3

SIJ188DP-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 60-V POWERPAK SO-8
Mã sản phẩm
SIJ188DP-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET® Gen IV
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Tản điện (Tối đa)
5W (Ta), 65.7W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Xả điện áp nguồn (Vdss)
60V
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.85 mOhm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
3.6V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
44nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1920pF @ 30V
VSS (Tối đa)
±20V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
7.5V, 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 28412 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIJ188DP-T1-GE3
SIJ188DP-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIJ188DP-T1-GE3 Việc bán hàng
SIJ188DP-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIJ188DP-T1-GE3 Nhà phân phối
SIJ188DP-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIJ188DP-T1-GE3 Ảnh
SIJ188DP-T1-GE3 Giá
SIJ188DP-T1-GE3 Lời đề nghị
SIJ188DP-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIJ188DP-T1-GE3 Tìm kiếm
SIJ188DP-T1-GE3 Thu mua
SIJ188DP-T1-GE3 Chip