Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIR403EDP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 40A PPAK 8SO
Mã sản phẩm
SIR403EDP-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Tản điện (Tối đa)
5W (Ta), 56.8W (Tc)
Loại FET
P-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
6.5 mOhm @ 13A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.8V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
153nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
4620pF @ 15V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±25V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 40770 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SIR403EDP-T1-GE3
SIR403EDP-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIR403EDP-T1-GE3 Việc bán hàng
SIR403EDP-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIR403EDP-T1-GE3 Nhà phân phối
SIR403EDP-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIR403EDP-T1-GE3 Ảnh
SIR403EDP-T1-GE3 Giá
SIR403EDP-T1-GE3 Lời đề nghị
SIR403EDP-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIR403EDP-T1-GE3 Tìm kiếm
SIR403EDP-T1-GE3 Thu mua
SIR403EDP-T1-GE3 Chip