Mua Vishay Siliconix SIR606BDP-T1-RE3 MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8

Mã sản phẩm

SIR606BDP-T1-RE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET® Gen IV

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® SO-8

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® SO-8

Tản điện (Tối đa)

5W (Ta), 62.5W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

100V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

10.9A (Ta), 38.7A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

17.4 mOhm @ 10A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

4V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

30nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1470pF @ 50V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

7.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 53502 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SIR606BDP-T1-RE3

MOSFET N-CHAN 100V POWERPAK SO-8