Mua Vishay Siliconix SIR802DP-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

SIR802DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8

Mã sản phẩm

SIR802DP-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® SO-8

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® SO-8

Tản điện (Tối đa)

4.6W (Ta), 27.7W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

30A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

5 mOhm @ 10A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

32nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1785pF @ 10V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

2.5V, 10V

VSS (Tối đa)

±12V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 54034 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SIR800ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V PPAK SO-8