Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIR878ADP-T1-GE3

SIR878ADP-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Mã sản phẩm
SIR878ADP-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Last Time Buy
Bao bì
Cut Tape (CT)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® SO-8
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® SO-8
Tản điện (Tối đa)
5W (Ta), 44.5W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
100V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
14 mOhm @ 15A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.8V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
42nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1275pF @ 50V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 16907 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SIR878ADP-T1-GE3
SIR878ADP-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIR878ADP-T1-GE3 Việc bán hàng
SIR878ADP-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIR878ADP-T1-GE3 Nhà phân phối
SIR878ADP-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIR878ADP-T1-GE3 Ảnh
SIR878ADP-T1-GE3 Giá
SIR878ADP-T1-GE3 Lời đề nghị
SIR878ADP-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIR878ADP-T1-GE3 Tìm kiếm
SIR878ADP-T1-GE3 Thu mua
SIR878ADP-T1-GE3 Chip