Mua Vishay Siliconix SIRB40DP-T1-GE3 MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Trung Quốc
Nhà cung cấp linh kiện điện tử chuyên nghiệp

Danh mục Nhà sản xuất của CN ICs

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

SIRB40DP-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

Mã sản phẩm

SIRB40DP-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® SO-8 Dual

Sức mạnh tối đa

46.2W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® SO-8 Dual

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Standard

Xả điện áp nguồn (Vdss)

40V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

40A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

3.25 mOhm @ 10A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.4V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

45nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

4290pF @ 20V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 11948 PCS

Thông tin liên lạc