Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SIS612EDNT-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 50A SMT
Mã sản phẩm
SIS612EDNT-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8S
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)
Tản điện (Tối đa)
3.7W (Ta), 52W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
3.9 mOhm @ 14A, 4.5V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
1.2V @ 1mA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
70nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2060pF @ 10V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
2.5V, 4.5V
VSS (Tối đa)
±12V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 28483 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SIS612EDNT-T1-GE3
SIS612EDNT-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SIS612EDNT-T1-GE3 Việc bán hàng
SIS612EDNT-T1-GE3 Nhà cung cấp
SIS612EDNT-T1-GE3 Nhà phân phối
SIS612EDNT-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SIS612EDNT-T1-GE3 Ảnh
SIS612EDNT-T1-GE3 Giá
SIS612EDNT-T1-GE3 Lời đề nghị
SIS612EDNT-T1-GE3 Giá thấp nhất
SIS612EDNT-T1-GE3 Tìm kiếm
SIS612EDNT-T1-GE3 Thu mua
SIS612EDNT-T1-GE3 Chip