Mua Vishay Siliconix SIS932EDN-T1-GE3 MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

SIS932EDN-T1-GE3

MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8

Mã sản phẩm

SIS932EDN-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® 1212-8 Dual

Sức mạnh tối đa

2.6W (Ta), 23W (Tc)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® 1212-8 Dual

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Standard

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

6A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

22 mOhm @ 10A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.4V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

14nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1000pF @ 15V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 17476 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SIS902DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8