Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SISB46DN-T1-GE3

SISB46DN-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V POWERPAK 1212-8
Mã sản phẩm
SISB46DN-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
Tape & Reel (TR)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8 Dual
Sức mạnh tối đa
23W
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8 Dual
Loại FET
2 N-Channel (Dual)
Tính năng FET
Standard
Xả điện áp nguồn (Vdss)
40V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
11.71 mOhm @ 5A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.2V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
11nC @ 4.5V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 20V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 29585 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SISB46DN-T1-GE3
SISB46DN-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SISB46DN-T1-GE3 Việc bán hàng
SISB46DN-T1-GE3 Nhà cung cấp
SISB46DN-T1-GE3 Nhà phân phối
SISB46DN-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SISB46DN-T1-GE3 Ảnh
SISB46DN-T1-GE3 Giá
SISB46DN-T1-GE3 Lời đề nghị
SISB46DN-T1-GE3 Giá thấp nhất
SISB46DN-T1-GE3 Tìm kiếm
SISB46DN-T1-GE3 Thu mua
SISB46DN-T1-GE3 Chip