Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SISF00DN-T1-GE3

SISF00DN-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12
Mã sản phẩm
SISF00DN-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET® Gen IV
Trạng thái một phần
Active
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8SCD
Sức mạnh tối đa
69.4W (Tc)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8SCD
Loại FET
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Tính năng FET
Standard
Xả điện áp nguồn (Vdss)
30V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
60A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
5 mOhm @ 10A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.1V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
53nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2700pF @ 15V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 37996 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SISF00DN-T1-GE3
SISF00DN-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SISF00DN-T1-GE3 Việc bán hàng
SISF00DN-T1-GE3 Nhà cung cấp
SISF00DN-T1-GE3 Nhà phân phối
SISF00DN-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SISF00DN-T1-GE3 Ảnh
SISF00DN-T1-GE3 Giá
SISF00DN-T1-GE3 Lời đề nghị
SISF00DN-T1-GE3 Giá thấp nhất
SISF00DN-T1-GE3 Tìm kiếm
SISF00DN-T1-GE3 Thu mua
SISF00DN-T1-GE3 Chip