Mua Vishay Siliconix SISH106DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH

Mã sản phẩm

SISH106DN-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® 1212-8SH

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® 1212-8SH

Tản điện (Tối đa)

1.5W (Ta)

Loại FET

N-Channel

Xả điện áp nguồn (Vdss)

20V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

12.5A (Ta)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

6.2 mOhm @ 19.5A, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

1.5V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

27nC @ 4.5V

VSS (Tối đa)

±12V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

2.5V, 4.5V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 22885 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SISH106DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH