Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SISH410DN-T1-GE3

SISH410DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN PPAK 1212-8SH
Mã sản phẩm
SISH410DN-T1-GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 150°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
PowerPAK® 1212-8SH
Gói thiết bị của nhà cung cấp
PowerPAK® 1212-8SH
Tản điện (Tối đa)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Xả điện áp nguồn (Vdss)
20V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
22A (Ta), 35A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
4.8 mOhm @ 20A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
2.5V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
41nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
1600pF @ 10V
VSS (Tối đa)
±20V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
4.5V, 10V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 53477 PCS
Thông tin liên lạc
Từ khóa của SISH410DN-T1-GE3
SISH410DN-T1-GE3 Linh kiện điện tử
SISH410DN-T1-GE3 Việc bán hàng
SISH410DN-T1-GE3 Nhà cung cấp
SISH410DN-T1-GE3 Nhà phân phối
SISH410DN-T1-GE3 Bảng dữ liệu
SISH410DN-T1-GE3 Ảnh
SISH410DN-T1-GE3 Giá
SISH410DN-T1-GE3 Lời đề nghị
SISH410DN-T1-GE3 Giá thấp nhất
SISH410DN-T1-GE3 Tìm kiếm
SISH410DN-T1-GE3 Thu mua
SISH410DN-T1-GE3 Chip