Mua Vishay Siliconix SISS06DN-T1-GE3 MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SISS06DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 30 V POWERPAK 1212

Mã sản phẩm

SISS06DN-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET® Gen IV

Trạng thái một phần

Active

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® 1212-8S

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® 1212-8S

Tản điện (Tối đa)

5W (Ta), 65.7W (Tc)

Loại FET

N-Channel

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.2V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

77nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

3660pF @ 15V

VSS (Tối đa)

+20V, -16V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

4.5V, 10V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 16629 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SISS02DN-T1-GE3

MOSFET N-CHAN 25V POWERPAK 1212-