Mua Vishay Siliconix SIUD412ED-T1-GE3 MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SIUD412ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 12V 500MA PWRPAK0806

Mã sản phẩm

SIUD412ED-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Công nghệ

MOSFET (Metal Oxide)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

PowerPAK® 0806

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerPAK® 0806

Tản điện (Tối đa)

1.25W (Ta)

Loại FET

N-Channel

Tính năng FET

Xả điện áp nguồn (Vdss)

12V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

500mA (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

340 mOhm @ 500mA, 4.5V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

900mV @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

0.71nC @ 4.5V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

21pF @ 6V

Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)

1.2V, 4.5V

VSS (Tối đa)

±5V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 5992 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SIUD402ED-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806