Mua Vishay Siliconix SIZ200DT-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V

Trung Quốc
Nhà cung cấp linh kiện điện tử chuyên nghiệp

Danh mục Nhà sản xuất của CN ICs

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SIZ200DT-T1-GE3

MOSFET N-CH DUAL 30V

Mã sản phẩm

SIZ200DT-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET® Gen IV

Trạng thái một phần

Active

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerWDFN

Sức mạnh tối đa

4.3W (Ta), 33W (Tc)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-PowerPair® (3.3x3.3)

Loại FET

2 N-Channel (Dual)

Tính năng FET

Standard

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.4V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

28nC @ 10V, 30nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 11678 PCS

Thông tin liên lạc