Mua Vishay Siliconix SIZ902DT-T1-GE3 MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

DataSheets

SIZ902DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR

Mã sản phẩm

SIZ902DT-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET®

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Cut Tape (CT)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerWDFN

Sức mạnh tối đa

29W, 66W

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-PowerPair® (6x5)

Loại FET

2 N-Channel (Half Bridge)

Tính năng FET

Logic Level Gate

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

16A

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

12 mOhm @ 13.8A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.2V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

21nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 15V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 31170 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SIZ900DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR