Mua Vishay Siliconix SIZF906ADT-T1-GE3 MOSFET DUEL N-CHAN 30V

Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.

Xem thêm thông tin DataSheets

SIZF906ADT-T1-GE3

MOSFET DUEL N-CHAN 30V

Mã sản phẩm

SIZF906ADT-T1-GE3

Nhà sản xuất/Thương hiệu

Vishay Siliconix

Loạt

TrenchFET® Gen IV

Trạng thái một phần

Active

Bao bì

Tape & Reel (TR)

Nhiệt độ hoạt động

-55°C ~ 150°C (TJ)

Kiểu lắp

Surface Mount

Gói / Thùng

8-PowerWDFN

Sức mạnh tối đa

4.5W (Ta), 38W (Tc), 5W (Ta), 83W (Tc)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

8-PowerPair® (6x5)

Loại FET

2 N-Channel (Dual), Schottky

Tính năng FET

Standard

Xả điện áp nguồn (Vdss)

30V

Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C

27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc)

Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS

3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V

Vss(th) (Tối đa) @ Id

2.2V @ 250µA

Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS

49nC @ 10V, 200nC @ 10V

Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 15V, 8200pF @ 15V

Yêu cầu báo giá

Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.

Trong kho 8138 PCS

Thông tin liên lạc

Những sảm phẩm tương tự

SIZF300DT-T1-GE3

MOSFET DUAL N-CHAN 30V PPAIR 3X3