Hình ảnh có thể mang tính chất minh họa.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
Xem thông số kỹ thuật để biết chi tiết sản phẩm.
SQD10N30-330H_GE3
MOSFET N-CH 300V 10A TO252AA
Mã sản phẩm
SQD10N30-330H_GE3
Nhà sản xuất/Thương hiệu
Loạt
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Trạng thái một phần
Active
Bao bì
-
Công nghệ
MOSFET (Metal Oxide)
Nhiệt độ hoạt động
-55°C ~ 175°C (TJ)
Kiểu lắp
Surface Mount
Gói / Thùng
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-252AA
Tản điện (Tối đa)
107W (Tc)
Loại FET
N-Channel
Tính năng FET
-
Xả điện áp nguồn (Vdss)
300V
Hiện tại - Xả liên tục (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Số đường bật (Tối đa) @ Id, VSS
330 mOhm @ 14A, 10V
Vss(th) (Tối đa) @ Id
4.4V @ 250µA
Phí cổng (Qg) (Tối đa) @ VSS
47nC @ 10V
Điện dung đầu vào (Ciss) (Max) @ Vds
2190pF @ 25V
Điện áp truyền động (Bật đường tối đa, Bật đường tối thiểu)
10V
VSS (Tối đa)
±30V
Yêu cầu báo giá
Vui lòng hoàn thành tất cả các trường bắt buộc và nhấp vào "SUBMIT", chúng tôi sẽ liên hệ với bạn sau 12 giờ qua email. Nếu bạn có bất kỳ vấn đề gì, vui lòng để lại tin nhắn hoặc gửi email đến [email protected], chúng tôi sẽ phản hồi sớm nhất có thể.
Trong kho 42425 PCS
Thông tin liên lạc
Những sảm phẩm tương tự
Từ khóa của SQD10N30-330H_GE3
SQD10N30-330H_GE3 Linh kiện điện tử
SQD10N30-330H_GE3 Việc bán hàng
SQD10N30-330H_GE3 Nhà cung cấp
SQD10N30-330H_GE3 Nhà phân phối
SQD10N30-330H_GE3 Bảng dữ liệu
SQD10N30-330H_GE3 Ảnh
SQD10N30-330H_GE3 Giá
SQD10N30-330H_GE3 Lời đề nghị
SQD10N30-330H_GE3 Giá thấp nhất
SQD10N30-330H_GE3 Tìm kiếm
SQD10N30-330H_GE3 Thu mua
SQD10N30-330H_GE3 Chip